設備：高溫柵偏測試系統(tǒng)HTXB GR3-D

廠商：閱芯科技

用途：要用于功率半導體器件的環(huán)境老化試驗，比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTGB 試驗，用于測定柵氧本身及相關界面的可靠性。

測試標準：GJB128A-1997方法1042條件B穩(wěn)態(tài)柵偏置；MIL-STD-750F Method 1038 Test condition B；JESD22-A108D  Temperature，Bias，and Operating Life

技術指標：

l  最大工作電壓2000V

l  測試溫度：-20℃-180℃

l  I_GES檢測范圍：0-2000nA，分辨率0.01nA

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